功率半导体器件在电力电子行业有着非常广泛的应用，是电子产品的基础元器件之一，在产业电子化升级的过程中，越来越得到重视与应用。但目前，功率半导体器件仅占整个集成电路行业市场份额的10%。在我国加速推进碳中和、碳达峰的背景下，市场对功率器件的需求日渐增长，为了降低对于国外进口的依赖性，“国产替代”之路任重道远。
上海功成半导体科技有限公司（简称“功成半导体 CoolSemi”）成立于2018年5月，孵化于上海微技术工业研究院（简称“上海工研院 SITRI”），主要从事低压屏蔽栅、高压超结、IGBT、SiC、GaN等功率器件、功率模块、功率IC的设计和研发。公司核心团队成员来自中科院、复旦大学、台达电子、安森美、富士电机、GaN System等知名研究单位和产业界知名公司。作为“国产替代”大环境下的主力军，他们有着丰富的创业经验、顶尖的团队研发实力和强大的市场开拓能力。今天，就让我们走进上海功成半导体，见证他三年来的快速发展历程。
人才团队高精尖 技术创新高能效
专业人才是创新创业、技术腾飞的基石。目前我国半导体方向的高端人才紧缺，从事功率半导体研究方向的博士人数甚微，而具有行业影响力同时拥有功率器件设计研发经验的博士更是屈指可数。功成半导体硕博人员占比近50%，这样的高精尖团队在从事功率半导体的设计公司中，可谓凤毛麟角。实力雄厚的研发人才队伍，为功成半导体在功率器件领域取得技术领先性奠定了基础。除人才资本外，功成半导体还联合上海工研院、复旦大学等产业孵化平台和知名研究单位共同开展产业研发和共建研发实验室。借助于上海工研院的产业孵化能力和技术研发平台实现了新产品的快速研发、快速迭代和产业资源的深度融合。截至目前，双方已共同申请发明专利29项，多项发明专利已用于实际量产的产品，形成了良好的科技成果转化效应。
目前，功成半导体的低压CoolSGT和高压CoolFET产品已经实现规模化量产，IGBT产品小批量试产，公司目前重点建设IPM模块研发生产中心，积极研发和布局第三代半导体SiC及GaN功率器件等。得益于强大的研发能力和出色的器件设计，功成半导体推出的差异化产品相较同行具有明显的性能优势，功率转换效率明显提高，同时为实现功率变化控制，功成半导体已经着手功率IC的设计和研发。随着公司产品内容的不断丰富和逐步完善，功成半导体不久将能为客户提供一站式功率系统解决方案。
拓宽合作“朋友圈” 着眼市场新机遇
市场需求是技术飞速进步和不断创新的强大驱动力。在国产替代的大环境下，据国家战略要求，2025年功率器件国产率需达到70%。目前，中高端MOS和IGBT国产率仅约为15%和5%，国产替代进口器件的市场空间巨大。功成半导体牢牢抓住这一市场机遇，深入布局功率半导体生态产业链，其低压屏蔽栅MOS器件覆盖了40-150V，高压超结MOS器件覆盖了600-800V，SiC MOS器件覆盖650-1200V，还有GaN HEMT器件、IPM模块、功率IC等产品。整体布局涉及消费领域、工业领域和汽车领域相关电气产品，分别应用于快速充电器、LED照明、通讯电源、服务器电源、光伏逆变、充电桩、汽车电子等众多领域。身披多元化产品的铠甲，功成半导体积极拓展产业“朋友圈”，目前已成功进入了飞利浦、TCP强凌、国动集团、国电南瑞、中电科、小米科技等供应链体系。此外，功成半导体与上海工研院合作研发的新能源汽车车载充电模块，已有样品在电驱动方面与国内知名汽车品牌进行合作，行业应用需求正处于快速爆发期。
经过3年的不懈努力和快速发展，功成半导体的产品在市场上获得了众多终端用户的认可。2021年每月出货量达1000万颗，月销售额突破800万元，全年销售订单超8000万元，预计2022年销售订单可达1.2亿元以上。按照公司整体布局和发展规划，2025年功成半导体的年销售额预计将达到8-10亿元，届时将开展IPO上市工作。
志不求易者成，事不避难者进。功成半导体凭借顶尖的人才队伍，高超的技术水准，积极的产业布局和磐石般的雄心，立志成为全球优秀的半导体器件供应商，为打造顺应市场需求并持续创新的功率半导体而不懈探索，稳步前行。