- 时间：2018年月16日下午
- 地点：浦东嘉里大酒店三层，办公楼多功能厅1号
- 主持人： 方子文 博士，市场与工艺支持，爱思强
- 主办单位：德国爱思强股份有限公司、上海微技术工业研究院
| 时 | 题目 | 演说者 | 时长 |
| 13:30 | 开幕致辞 | Frank Wischmeyer (VP AIXTRON) 丁辉文 (VP SITRI) |
10 分钟 |
| 13:40 | 碳化硅单晶衬底产业化进 | 彭同华 博士 副总经理 北京天科合达半导体 |
20 分钟 |
| 14:00 | 大尺寸碳化硅外延生长技术进展 | 冯淦 博士 总经理 瀚天天成电子科技 |
20 分钟 |
| 14:20 | 第三代半导体碳化硅器件研究与发展概况 | 张峰 博士 研究员 中科院半导体所 |
20 分钟 |
| 14:40 | 功率半导体器件在新能源汽车中的应用 | 朱明磊 博士 工程师 上汽大众汽车有限公司 |
20 分钟 |
| 15:00 | 茶歇 | 30 分钟 | |
| 15:30 | 功率器件－驱动未来 | Frank Wischmeyer 博士 副总裁 德国爱思强股份有限公司 |
20 分钟 |
| 15:50 | 面向产业化应用的大尺寸硅基GaN外延生长技术 | 袁理 博士 功率器件部总监 上海微技术工业研究院 |
20 分钟 |
| 16:10 | 功率器件外延及衬底缺陷检测方案 | Thomas Pierson 市场/应用总监 KLA-Tencor |
20 分钟 |
| 16:30 | 应用于功率半导体的先进刻蚀和ALD沉积技术 | Ian Wright 副总裁 亚洲区总经理 牛津仪器等离子 |
20 分钟 |
本次研讨会免费参加
联络人：陆女士，13585730687，ch.lu@aixtron.com