氮化铝CSOI MPW 工艺加工平台介绍
本项目多晶圆氮化铝工艺加工平台,主要提供:
1.用一个带有空腔(深度≤15μm, 直径≤420μm)结构的SOI晶圆,做为衬底;
2.沉积0.2μm下层钼(Mo)电极,1μm氮化铝(AlN),0.15μm上层钼(Mo)电极做为压电叠层,实现不同的器件功能;
3.用1μm 铝铜(AlCu)作为导线;
4.用0.5μm二氧化硅(SiO2)做正面保护层(PAD);
5.深槽蚀刻(可选),蚀刻掉氮化铝(AlN),下电极钼(Mo),顶硅,埋氧化层。
CSOI晶圆参数介绍
氮化铝(AlN)薄膜层参数介绍
工艺流程简介
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